光刻机在芯片职业里但是个大难题，一向被当成我国半导体开展的最大瓶颈。简单说，它便是用光在硅片上画出超级细微的电路图画，没有它，高端芯片就别想大规模出产。

  荷兰的ASML公司根本上独占了最先进的EUV光刻机商场，全世界100%的比例都在他们手里。要做7纳米以下的芯片，有必要靠他们的设备。甚至在中高端的DUV范畴，他们的ArFi和ArF机型商场占比也高达96%和80%以上。这不是一个企业的事，而是集结了美国的光源、德国的镜片、日本的资料等多国技能的大杂烩。

  回想2022年，日本JSR公司的CEO埃里克约翰逊在采访里直抒己见，说我国就算拿到化学成分的具体论文，也造不出EUV才能。他这么自傲，首要由于光刻机有三大中心技能太难霸占：一是体积小功率高的安稳极紫外光源，美国Cymer公司把握老练方案；

  二是高精度反射镜面，只要德国厂商能做到那种润滑度；三是光刻胶和高纯度化学品，大多是日本专利。那时候，日本光刻胶企业遍地开花，全球90%的商场占有率捏在手里，方位稳如泰山。

  我国起步不算早，前期首要靠拼装荷兰设备来堆集经历。2020年，我国为ASML拼装的光刻机出货量占全球20%，等于一边帮助出产，一边在工厂里学技能。

  这种独占格式让全球芯片供应链高度依靠少量国家，地缘危险一上来，我们都得捏把汗。我国面临这些高墙，没急着硬碰硬，而是从根底抓起，逐渐蚕食技能空白。

  没想到短短几年，日本媒体就改口了。2025年7月，《日经亚洲》报导说，我国很有几率会成为继荷兰和日本后，全球第三个能独立造全套光刻机的国家。这判别不是空穴来风，而是根据我国在要害技能上的实打实开展。

  上海微电子一向在DUV浸没式光刻机上发力，他们的193nm氟化氩机型套刻精度控制在8nm以内，尽管离EUV还有间隔，但已能支撑中端芯片出产。这步步推动，从干式ArF到浸没式ArFi，再往EUV挨近，距离在缩小。

  2025年11月，芯上微装科技交付了AST6200型350nm步进光刻机，这设备虽不是最顶级，但正好对上第三代半导体商场的需求。

  它的正面套刻精度80nm，反面500nm，能处理碳化硅、氮化镓等多种资料，用在5G基站、新能源轿车电控和Micro LED上捉襟见肘。要害是国产化率高达83%，中心零部件根本自给自足。这事阐明，我国企业不但追高端，还在有用范畴找准方位，参加全球竞赛。

  光源技能是最难的一关，哈尔滨工业大学和国仪超精细集团投了11亿元建产线年试运行成功。虽和ASML商用规范有距离，但已能支撑原型机要害测验，发生13.5nm波长的极紫外光。这为EUV铺路，实属不易。

  我国没把鸡蛋放一个篮子，还并行推动纳米压印和电子束道路。纳米压印曩昔是日本佳能的强项，他们的设备线年，璞璘科技的PL-SR系列喷墨步进纳米压印设备交付使用，线nm，已量产使用在存储芯片、硅基微显和先进封装上。

  电子束道路年推出羲之商用电子束光刻机，精度0.6nm，线nm，已进入使用测验阶段。这设备用电子束直接刻电路，灵活性高，合适量子芯片等前沿范畴。

  这些打破像组合拳，相互支撑，构成我国半导体包围的合力。跟着制程挨近物理极限，先进封装成新热门，我国在这块已抢先，经过2.5D/3D堆叠和异构集成，处理不少难题。

  更劲爆的是，2025年12月路透社报导，我国在深圳一处保密实验室，招聘前ASML工程师，打造出EUV原型机。这机器于2025年头建成，已成功发生极紫外光，正在测验阶段，虽还没产出可用芯片，但标志着要害一步。

  工业链完全，从设备到资料，我国类别根本到位。光刻胶国产率从2020年的15%升到2024年的32%，2025年超40%。企业如南大光电、彤程新材、上海新阳等，在高端范畴获得开展。氮化镓等资料也趋自给，趋势对我国有利。

  其实，日本和荷兰也依靠美国技能，光刻机这工业明珠，本就不是一国独量力而行。但我国多线并进，避开单一比照，逐渐构建全链条。2025年，我国半导体设备进口还高，但国产代替加快，ASML陈述数据显现，我国商场占其销售额42%。像SSA600国产设备，已用在90nm出产线上。全球协作虽干流，但地缘压力让独立研制更实际。

  往前看，我国光刻机开展的潜在才能巨大。2026年方案量产更多设备，荷兰ASML CEO初次表态，供认完全脱钩难，管控新规虽出，但供应链羁绊深。

  德媒也报导，我国芯片技能重大打破，EUV虽需时日，但囤积设备赢得了空间。我国不但设备，还在资料和测验上补齐短板，工业链趋完好。

  我国从拼装起步，到现在原型机测验，靠的是实干和立异。全球半导体重塑中，我国找准方位，不再被迫。日媒的惊叹，反映出格式改动，我国有望一国之力完结这杂乱工程。未来竞赛十分剧烈，但自主才能增强，半导体工业更有底气。总归，这路走得稳，远景明亮。

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