2025年12月15日，英特尔宣告该公司已成功装置并完结检验测验ASML Twinscan EXE:5200B，这是业界首款装备0.55数值孔径（High-NA）投影光学体系、专为商用芯片出产规划的高数值孔径EUV光刻机。

  该设备将用于开发英特尔的14A制作工艺，这将是全球首个在其最要害层依靠High-NA EUV光刻机的工艺节点。这一里程碑标志着High-NA EUV光刻技能正从前期研制阶段稳步迈向高量产（HVM）年代。

  ASMLTwinscan EXE:5200B是根据英特尔2023年在俄勒冈研制工厂接纳的第一代EXE:5000渠道开发的第二代体系。该设备能够在必定程度上完结8nm分辨率的芯片图画化，显着逾越当时低数值孔径（Low-NA）EUV东西在单次曝光（无多重图画化）下的13nm分辨率，然后供给更强的缩放才能。

  这一叠加功能是经过渠道操控、传感器校准和环境阻隔的前进完成的，关于特征尺度继续缩小的工艺节点至关重要，即便细小的对齐差错也或许会引起良率大幅下降。

  为提高全体功能，该光刻机集成更高功率的EUV光源，支撑在更高剂量下更快曝光晶圆。这不只供给更强的图画对比度，还能优化抗蚀剂工艺窗口，一起最小化线边际粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR），这些参数在先进节点中往往是出产应战的中心。

  ASML与英特尔协作不止于光学和光源，还从头规划了晶圆存储体系，担任晶圆的存储、排队以及进出扫描仪的传输。这一组件对出产率和图画精度有直接影响。新规划改进了批量流程和晶圆处理，保证晶圆以更可猜测的状况进入曝光阶段。

  一起，还强化了热操控，在曝光前后保持晶圆和载体的温度稳定性，由于即便细小温度动摇也或许会导致晶圆热胀冷缩，导致叠加差错、缺点添加和良率丢失。

  此外，新架构经过削减热和机械变异，显着下降长期运转中的功能漂移，由此削减频频从头校准的需求。这种稳定性关于未来多遍或多曝光图画化尤为要害，这在亚1nm年代将不可避免。

  为充分发挥新光刻东西的潜力，英特尔正在并行推动掩模、蚀刻工艺、分辨率增强技能和计量学的优化作业，这一些要素有必要协同开展，以最大化High-NA EUV图画化的价值。

  英特尔表明，High-NA东西将带来更灵敏的规划规矩，削减图画化过程和掩模数量，缩短周期时间，并提高良率，得益于14A及更先进工艺在要害层无需多重图画化。一起，跟着英特尔堆集High-NA EUV的高量产经历，它将在亚1nm年代需要时无缝引进多重图画化，而不显着影响良率。

  欲善其功，先利其器，这一最新重要发展不只凸显英特尔在先进制作范畴的先发优势，也预示着该公司正朝着更精密、更高效工艺节点的加快转型，缩小乃至追平与竞争对手三星和台积电之间的距离，然后扭转颓势。小编将在第一时间共享更多相关最新动态和爆料，敬请重视。