2023年底，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的体系。英特尔将其作为试验机，于2024年月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X完结装置。这里是英特尔半导体研制技术基地，能够更好地了解High-NA EUV设备的运用，取得名贵的经历。

  英特尔宣告，已装置了新的TWINSCAN EXE:5200B体系。这是现在全球最先进的光刻机，归于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点。在ASML的协作下，已完结Intel 14A在英特尔晶圆厂的检验测验，以进步晶圆产值。

  TWINSCAN EXE:5200B在规范条件下，产值达到了每小时175片晶圆，英特尔方案做进一步调整，提高至每小时200片晶圆以上。新体系还提高了套刻精度，达到了0.7nm，这是建立在英特尔曩昔一年多对High-NA EUV光刻机运用经历之上。

  英特尔表明，High-NA   EUV是其晶圆代工技术库中的重要才能，结合了自身在掩模、蚀刻、分辨率增强和计量等相关范畴的技术，完成了当今芯片所需的更精密晶体管细节。对规划师来说，这带来了更灵敏的规划规矩，削减过程和掩蔽次数的才能意味着流程更简化，良品率更高，并且时刻更短。  现在英特尔仍处于前期阶段，但这标志着在为客户提高功率与生产力方面取得了活跃发展。

  在上星期的2025 IEEE IEDM上，英特尔还与imec协作展现了对2DFET资料氧化物帽层，中心立异是选择性洼陷刻蚀。